快速恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同。它属于PIN结二极管，即在P型硅材料和N型硅材料之间加入I基，形成PIN硅片。由于PD的主要有源区是势垒区，所以可以通过加宽势垒区来提高灵敏度。事实上，PIN快速恢复二极管人为地扩大了PN结势垒区的宽度。PIN快速恢复二极管的有效作用面积主要是具有电场的I型层(势垒面积)，因此产生光生载流子的有效面积增加，扩散的影响减弱，结电容大大减小。因此，其光学检测的灵敏度和响应速度大大提高。

　　快速恢复二极管的性能特性

　　1、结构特点

　　快速恢复二极管的内部结构与普通二极管不同。在P型和N型硅材料之间添加碱I以形成P-I-N硅芯片。由于基极区域非常薄，反向恢复电荷非常小，不仅trr值大大降低，而且瞬态正向压降也降低，因此管可以承受高反向操作电压。快速恢复二极管的反向恢复时间通常为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流为几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百至几千伏特。超快恢复二极管。

　　2、反向恢复时间

　　反向恢复时间(tr)的定义：电流通过零点和正向转换到指定低值之间的时间间隔。它是衡量高频续流整流装置性能的重要技术指标。反向恢复电流波形如图1所示。IF是正向电流，IRM是最大反向恢复电流。Irr是反向恢复电流，通常指定Irr=0.1 IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t>t0时，整流器上的正向电压突然变为反向电压，因此正向电流迅速减小。当t=t1时，I=0。然后反向电流IR流过整流器，并且IR逐渐增加;在t=t2时达到最大反向恢复电流IRM值。此后，在正向电压的作用下，反向电流逐渐减小，并在t=t3处达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程类似于电容器放电过程。

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