根据结构，二极管可以分为PN结二极管和金属半导体结二极管，它们被称为肖特基二极管（SBD）。此外，根据用途可分为三种：通用（整流二极管、开关二极管）、高速使用（SBD、FRD和HED）和指定用途（齐纳二极管、变容二极管和PIN二极管）。

　　二极管电气特性表中术语的定义

　　正向电流(IF)计算如下：

　　IF=IS(exp(qVF/KT)?1)

　　IS：反向饱和电流

　　T： 绝对温度

　　VF：正向电压

　　K： 玻尔兹曼常数

　　q： 电荷

　　上述方程仅适用于小电流区域。

　　流过二极管的反向偏置电流称为反向电流(IR)或饱和电流(is)。

　　通常，饱和区硅二极管的反向电流(IR)为几毫安(10?9A)。当温度从8°C变化到10°C时，IR几乎增加了一倍。

　　总电容表示为CT。CT主要归因于p-n二极管的反向偏置形成的耗尽层。耗尽层的宽度随着反向电压(VR)的增加而增加。下图显示了CT?vs?VR曲线。总电容随反向电压的增加而减小。通常，总电容和CT?VR斜率在很大程度上取决于结面积和掺杂浓度。

　　在正向导通之后，即使施加反向偏置，二极管也无法实现其阻断能力。大的反向电流(IR)流动，直到p-n结中的所有少数载流子耗尽，这些载流子在反向方向上形成低阻抗路径。当偏置电压突然从正向变为反向时，p-n结恢复到最大10%IR所需的时间称为反向恢复时间(trr)。它表示二极管的开关速度。